参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STD9N65M2
说明	通用MOSFET   TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK DPAK-3
品牌	ST(意法半导体)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5536 [库存更新时间：2025-04-04]
系列	MDmesh™
连续漏极电流Id	5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	315pF @ 100V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	60W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	900mΩ@2.5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,Dpak,SC-63
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
Pd-功率耗散(Max)	60W
封装/外壳	DPAK-3
Ciss-输入电容	315 pF
下降时间	18 ns
最小工作温度	- 55 C
上升时间	6.6 ns
FET类型	N-Channel
典型关闭延迟时间	22.5 ns
漏源极电压Vds	650V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
连续漏极电流Id	5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	900mΩ
栅极电压Vgs	3V
Qg-栅极电荷	10 nC
最大工作温度	+ 150 C