参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STB26N60M2
说明	通用MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2250 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	MDmesh™ M2
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	20A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1360pF @ 100V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	169W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	165mΩ@10A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
湿气敏感性等级（MSL）	1(无限)