参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQJ974EP-T1_GE3
说明	功率MOSFET   PowerPAK®SO-8Dual
品牌	Vishay(威世)
起订量	1
最小包	3000
现货	16520 [库存更新时间：2025-04-11]
系列	SQ
典型接通延迟时间	10 ns, 10 ns
上升时间	5 ns, 5 ns
通道数量	2 Channel
Qg-栅极电荷	30 nC, 30 nC
栅极电压Vgs	1.5V,1.5V
典型关闭延迟时间	20 ns, 20 ns
正向跨导-最小值	27 S, 27 S
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	30A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	25.5mΩ@10A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1050pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	48W
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PowerPAK®SO-8Dual