参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SQ2309ES-T1_GE3
说明	功率MOSFET   TO-236(SOT-23) 2.9mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	1
最小包	3000
现货	3179 [库存更新时间：2025-04-08]
系列	SQ
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	265pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-236(SOT-23)
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	1.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	500mΩ
高度	1.45mm
长度	2.9mm
宽度	1.60mm