参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SQD50N04-5M6L_GE3 |
说明 | 功率MOSFET TO-252-3,DPak,SC-63 40V |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 164 [库存更新时间:2025-04-04] |
系列 | SQD |
连续漏极电流Id | 50A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 75nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 4000pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±20V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.6mΩ@20A,10V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak,SC-63 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 40V |
Pd-功率耗散(Max) | 71W |
电压 | 40V |