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    SQD50N04-5M6L_GE3

    品牌:Vishay(威世)

    产品:功率MOSFET

    库存:164 Pcs [库存更新时间:2025-04-04]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码SQD50N04-5M6L_GE3
    说明功率MOSFET   TO-252-3,DPak,SC-63 40V
    品牌Vishay(威世)
    起订量0
    最小包0
    现货164 [库存更新时间:2025-04-04]
    系列SQD
    连续漏极电流Id50A(Tc)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)75nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)4000pF @ 25V
    栅极电压Vgs±20V
    Rds On(Max)@Id,Vgs5.6mΩ@20A,10V
    工作温度-55°C~175°C(TJ)
    封装/外壳TO-252-3,DPak,SC-63
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds40V
    Pd-功率耗散(Max)71W
    电压40V

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