参数	值
产品	未分类
型号编码	SPP11N60C3HKSA1
说明	未分类   TO-220 8.64x10.26x4.4mm 8.64mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	106 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	11 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	380 m0hms
栅极电压Vgs	3.9V
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	125W
高度	4.4mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	8.64 x 10.26 x 4.4mm
宽度	10.26mm
系列	CoolMOS C3
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1200 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	44 ns
典型接通延迟时间	10 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	8.64mm