参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPB11N60S5
说明	功率MOSFET   10mm D2PAK(TO-263)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2290 [库存更新时间：2025-04-07]
通道数量	1Channel
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	125W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	CoolMOSS5
宽度	9.25mm
下降时间	20ns
上升时间	35ns
典型关闭延迟时间	150ns
典型接通延迟时间	130ns
Moisture Level	1 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs	380mΩ
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11A
RthJC max	1.0 K/W
QG (typ @10V)	41.5 nC
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
Budgetary Price €€/1k	1.22
Ptot max	125.0W
FET类型	N-Channel
栅极电压Vgs	3.5V,5.5V
Mounting	SMT
工作温度	-55°C~150°C