参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPB08P06PGATMA1
说明	通用MOSFET   D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.312x9.45x4.572mm 10.31mm
起订量	1
最小包	1
现货	439 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	8.8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	420pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	300 毫欧 @ 6.2A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳	PG-TO263-3
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	8.8 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.3 0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	42W
最低工作温度	-55 °C
封装/外壳	10.312 x 9.45 x 4.572mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	4.8S
正向二极管电压	1.55V
长度	10.31mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	335 pF @ -25 V
典型关断延迟时间	48 ns
典型接通延迟时间	16 ns
宽度	9.45mm
高度	4.572mm
最高工作温度	+175 °C
系列	SIPMOS