型号参数与资料
- 型号
- SPD04P10PGBTMA1
- 类别
- 功率MOSFET
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 4A(Tc) |
|---|---|
| FET类型 | P 通道 |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 1 欧姆 @ 2.8A,10V |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 380uA |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 319pF @ 25V |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V |
| 功率耗散(最大值) | 38W(Tc) |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
功率MOSFET TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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