参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIZ988DT-T1-GE3
说明	功率MOSFET   8-PowerPair®
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6308 [库存更新时间：2025-04-21]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 250µA,2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerPair®
连续漏极电流Id	40A,60A
Pd-功率耗散(Max)	20.2W,40W
Qg-栅极电荷	21.5nC,51nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.7mΩ,2.8mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	1.2V,1.1V
上升时间	10ns,15ns
下降时间	7ns,10ns
典型关闭延迟时间	15ns,25ns
典型接通延迟时间	15ns,20ns
正向跨导 - 最小值	54S,52S
系列	SIZ
通道数量	2Channel
配置	Dual
FET类型	N-Channel