| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SIS415DNT-T1-GE3 |
| 说明 | 通用MOSFET PowerPAK®1212-8 |
| 起订量 | 3 |
| 最小包 | 3 |
| 现货 | 401 [库存更新时间：2024-06-05] |
| 连续漏极电流Id | 35A(Tc) |
| FET类型 | P-Channel |
| Vgs(最大值) | ±12V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4 mOhms @ 20A,10V |
| Vgs(th) | 1.5V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 20V |
IC普拉斯 元器件现货
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productsSIS415DNT-T1-GE3
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