参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SIS415DNT-T1-GE3 |
说明 | 通用MOSFET PowerPAK®1212-8 |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 401 [库存更新时间:2025-04-08] |
连续漏极电流Id | 35A(Tc) |
FET类型 | P-Channel |
Vgs(最大值) | ±12V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4 mOhms @ 20A,10V |
Vgs(th) | 1.5V @ 250uA |
Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 20V |