参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STD6N65M2
说明	通用MOSFET   TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK DPAK-3
起订量	2
最小包	2
现货	399 [库存更新时间：2024-05-08]
系列	MDmesh™
连续漏极电流Id	4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	226pF @ 100V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	60W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.35 Ohms@2A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,Dpak,SC-63
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
Ciss-输入电容	226 pF
连续漏极电流Id	4A
典型关闭延迟时间	6.5 ns
封装/外壳	DPAK-3
FET类型	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散(Max)	60W
最小工作温度	- 55 C
Qg-栅极电荷	9.8 nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.35 Ohms
漏源极电压Vds	650V
栅极电压Vgs	3V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	7 ns
下降时间	20 ns