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    SIRA90DP-T1-GE3

    品牌:Vishay(威世)

    产品:功率MOSFET

    库存:163 Pcs [库存更新时间:2025-04-16]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码SIRA90DP-T1-GE3
    说明功率MOSFET   PowerPAK®SO-8 30V
    品牌Vishay(威世)
    起订量0
    最小包0
    现货163 [库存更新时间:2025-04-16]
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds30V
    连续漏极电流Id100A(Tc)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)153nC @ 10V
    栅极电压Vgs+20V,-16V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)10180pF @ 15V
    Rds On(Max)@Id,Vgs0.8mΩ@20A,10V
    工作温度-55°C~150°C(TJ)
    封装/外壳PowerPAK® SO-8
    Pd-功率耗散(Max)104W
    电压30V

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