| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | SIR862DP-T1-GE3 |
| 说明 | 未分类 PowerPAK®SO-8 |
| 品牌 | Vishay(威世) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 105 [库存更新时间：2025-04-04] |
| 功率 | 5.2W(Ta),69W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.8 毫欧 @ 15A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 25V |
| 连续漏极电流Id | 50A(Tc) |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 90nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3800pF @ 10V |
IC普拉斯 元器件现货
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