参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SIR846DP-T1-GE3
说明	通用MOSFET   PowerPAK®SO-8 SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6468 [库存更新时间：2025-04-07]
系列	TrenchFET®
连续漏极电流Id	60A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	7.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	72nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2870pF @ 50V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	6.25W(Ta),104W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.8m Ohms@20A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	60A
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.8mΩ
漏源极电压Vds	3.5V