| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | SIR626DP-T1-RE3 |
| 说明 | 功率MOSFET PowerPAK®SO-8 |
| 品牌 | Vishay(威世) |
| 起订量 | 3000 |
| 最小包 | 3000 |
| 现货 | 6243 [库存更新时间：2024-05-28] |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 100A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 78nC @ 7.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5130pF @ 30V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.7mΩ@20A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PowerPAK®SO-8 |
IC普拉斯 元器件现货
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