参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHP18N50C-E3n:
说明	功率MOSFET   TO-220-3
起订量	0
最小包	0
现货	395 [库存更新时间：2024-04-21]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	76nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2942pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
连续漏极电流Id	18A
Pd-功率耗散(Max)	223W
Qg-栅极电荷	65nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	225mΩ
漏源极电压Vds	500V
栅极电压Vgs	5V
上升时间	27ns
下降时间	44ns
典型关闭延迟时间	32ns
典型接通延迟时间	80ns
通道数量	1Channel
配置	Single