| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | SIHG20N50C-E3 |
| 说明 | 小信号MOSFET TO-247-3 |
| 起订量 | 500 |
| 最小包 | 500 |
| 现货 | 1434 [库存更新时间：2024-04-21] |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 76nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2942pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | 20A |
| Pd-功率耗散(Max) | 250mW |
| Qg-栅极电荷 | 65nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 270mΩ |
| 漏源极电压Vds | 500V |
| 栅极电压Vgs | 3V |
| 通道数量 | 1Channel |
IC普拉斯 元器件现货
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