参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SIHB12N60E-GE3
说明	通用MOSFET   D2PAK
起订量	1
最小包	1
现货	436 [库存更新时间：2024-04-28]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	12A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	58nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	937pF @ 100V
栅极电压Vgs	±30V
Pd-功率耗散(Max)	147W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	380m Ohms@6A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	D2PAK
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	12A