| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SIHB30N60E-E3 |
| 说明 | 通用MOSFET TO-263AB |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 409 [库存更新时间：2025-04-20] |
| 连续漏极电流Id | 29A(Tc) |
| FET类型 | N-Channel |
| Vgs(最大值) | ±30V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 125 mOhms @ 15A,10V |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 250W |
| 封装/外壳 | TO-263AB |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 600V |
IC普拉斯 元器件现货