参数	值
产品	未分类
型号编码	SIHLR024TR-GE3
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.73x6.22x2.38mm 6.73mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	105 [库存更新时间：2024-06-07]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	14 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	140 m0hms
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-10 V、+10 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	42W
高度	2.38mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.38mm
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	870 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	23 ns
典型接通延迟时间	11 ns
最低工作温度	-55 °C
长度	6.73mm
宽度	6.22mm