参数	值
产品	未分类
型号编码	SIHF720L-GE3
说明	未分类   TO-220AB 10.51x4.65x15.49mm 10.51mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	105 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	3.3 A
漏源极电压Vds	400 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.8 0hms
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220AB
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	50W
高度	15.49mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.51 x 4.65 x 15.49mm
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	410 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	30 ns
典型接通延迟时间	10 ns
最低工作温度	-55 °C
长度	10.51mm
宽度	4.65mm