参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SIHF6N65E-GE3
说明	通用MOSFET   TO-220-3
品牌	Vishay(威世)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2802 [库存更新时间：2025-04-18]
连续漏极电流Id	7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	48nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	820pF @ 100V
栅极电压Vgs	±30V
Pd-功率耗散(Max)	31W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	600m Ohms@3A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	600mΩ
漏源极电压Vds	4V