参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHB28N60EF-GE3
说明	功率MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	105 [库存更新时间：2025-04-13]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	28A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	120nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2714pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	123mΩ@14A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak,TO-263AB