| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | SIHB22N60ET1-GE3 |
| 说明 | 功率MOSFET 600V |
| 品牌 | Vishay(威世) |
| 起订量 | 800 |
| 最小包 | 800 |
| 现货 | 2010 [库存更新时间：2025-04-16] |
| 通道数量 | 1Channel |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 21A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180mΩ |
| 栅极电压Vgs | 4V |
| Qg-栅极电荷 | 57nC |
| 配置 | Single |
| 系列 | E |
| FET类型 | N-Channel |
| 下降时间 | 35ns |
| 上升时间 | 27ns |
| 典型关闭延迟时间 | 66ns |
| 典型接通延迟时间 | 18ns |
| Pd-功率耗散(Max) | 227W |
| 电压 | 600V |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
IC普拉斯 元器件现货
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