参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI8806DB-T2-E1
说明	通用MOSFET   4-XFBGA MicroFoot-4
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6470 [库存更新时间：2025-04-15]
系列	TrenchFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 8V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	43m Ohms@1A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	4-XFBGA
封装/外壳	MicroFoot-4
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	700mA
Rds On(Max)@Id,Vgs	35mΩ