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    SI8469DB-T2-E1

    品牌:Vishay(威世)

    产品:通用MOSFET

    库存:628 Pcs [库存更新时间:2025-04-11]

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    产品概述
    参数
    产品通用MOSFET
    型号编码SI8469DB-T2-E1
    说明通用MOSFET   4-uFBGA MicroFoot-4
    品牌Vishay(威世)
    起订量0
    最小包0
    现货628 [库存更新时间:2025-04-11]
    系列TrenchFET®
    连续漏极电流Id4.6A(Ta)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)800mV @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)17nC @ 4.5V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)900pF @ 4V
    栅极电压Vgs±5V
    Pd-功率耗散(Max)780mW(Ta),1.8W(Tc)
    Rds On(Max)@Id,Vgs64m Ohms@1.5A,4.5V
    工作温度-55°C~150°C(TJ)
    封装/外壳4-uFBGA
    封装/外壳MicroFoot-4
    FET类型P-Channel
    漏源极电压Vds8V
    连续漏极电流Id4.6A
    Rds On(Max)@Id,Vgs64mΩ

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