参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI8457DB-T1-E1 |
说明 | 通用MOSFET 4-uFBGA,FCBGA MicroFoot-4 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6695 [库存更新时间:2025-04-14] |
系列 | TrenchFET® |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.8V,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 93nC @ 8V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2900pF @ 6V |
栅极电压Vgs | ±8V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.1W(Ta),2.7W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 19m Ohms@3A,4.5V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 4-uFBGA,FCBGA |
封装/外壳 | MicroFoot-4 |
FET类型 | P-Channel |
漏源极电压Vds | 12V |
连续漏极电流Id | 10.2A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 19mΩ |
漏源极电压Vds | 900mV |