参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI8439DB-T1-E1 |
说明 | 通用MOSFET 4-UFBGA |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 433 [库存更新时间:2025-04-14] |
连续漏极电流Id | 5.9A(Ta) |
FET类型 | P-Channel |
Vgs(最大值) | ±5V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 25 mOhms @ 1.5A,4.5V |
Vgs(th) | 800mV @ 250uA |
Pd-功率耗散(Max) | 1.1W(Ta),2.7W(Tc) |
封装/外壳 | 4-UFBGA |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 8V |