您好!欢迎光临IC普拉斯 元器件现货 !

IC普拉斯 元器件现货

全国服务热线: 13172425630

  • 热门关键词:
  • 产品 型号 品牌 参数
    移位寄存器 74AHC595BQ-Q100,11 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,59 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz
    移位寄存器 74AHC595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51.4,122 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz
    移位寄存器 74HC597DB,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HC595PW-Q100,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:123,52 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HC595BQ,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,60 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HC597D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:74,32 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HCT165PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:123,52.9 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:48MHz
    移位寄存器 74HCT164D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:107,65 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:55MHz
    移位寄存器 74HCT164D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:107,65 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:55MHz
    移位寄存器 74HCT165D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:50,91 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:48MHz
    移位寄存器 74HCT595D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,49.3 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:57MHz
    移位寄存器 74HCT597DB,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:+/- 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:83MHz
    移位寄存器 74HCT4094D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.9,89 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:86MHz
    移位寄存器 74HCT595BQ-Q100,11 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,60 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:57MHz
    移位寄存器 74LV165APW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:7.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:124,53.9 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:115MHz
    移位寄存器 74HCT597D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:74,32.3 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:83MHz
    移位寄存器 74LV595D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:38.3,79 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:77MHz
    移位寄存器 74LVC595ABQ,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,92 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz
    移位寄存器 74LVC595APW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:53.9,124 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz
    移位寄存器 74LVC595ABQ,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:61,92 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz
    移位寄存器 74VHC595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51.4,122 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz
    移位寄存器 HEF4794BT,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:45ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:41.3,82 电源电压:3.0 - 15 输出电流:-20mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz
    移位寄存器 HEF4094BT,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:48,89 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz
    移位寄存器 NPIC6C595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.1,118 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz
    移位寄存器 74AHC594PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.2,123 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:160MHz
    移位寄存器 74HC4094PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:121,50.8 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:95MHz
    移位寄存器 74HC165D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:56MHz
    移位寄存器 74HC4094PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:121,50.8 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:95MHz
    移位寄存器 74HC595D,118 Nexperia(安世) 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HC597D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:74,32 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HC595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.2,123 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HCT165D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,50 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:48MHz
    移位寄存器 74HCT164BQ-Q100X Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT762 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:105,73 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:78MHz
    移位寄存器 74LV4060D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:29ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:80,38.9 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL
    移位寄存器 74HCT594D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:45.1,86 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:100MHz
    移位寄存器 74HCT597D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:74,32.3 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:83MHz
    移位寄存器 74HCT597D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:32.3,74 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:83MHz
    移位寄存器 74HCT594D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:45.1,86 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:100MHz
    移位寄存器 74LV4060D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:29ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:80,38.9 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL
    移位寄存器 74LV595D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:79,38.3 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:77MHz
    移位寄存器 HEF4021BT,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:48,89 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:40MHz
    移位寄存器 HEF4094BT-Q100J Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:89,48 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz
    移位寄存器 HEF4094BTS,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:148 电源电压:4.5 - 15 输出电流:+/- 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz
    移位寄存器 HEF4794BT,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:45ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:41.3,82 电源电压:3.0 - 15 输出电流:-20mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz
    移位寄存器 HEF4894BT,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:45ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:77,53 电源电压:3.0 - 15 输出电流:-20mA 通道数:12 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz
    移位寄存器 NPIC6C4894PWJ Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:96,40 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:12 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz
    移位寄存器 74AHC164D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:4.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:62,104 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:115MHz
    移位寄存器 74AHC594BQ,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:4.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,60 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:160MHz
    移位寄存器 74AHCT594BQ-Q100,1 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:3.8ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,60 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:160MHz
    移位寄存器 74HC164D,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:107,65 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:78MHz
    移位寄存器 74HC165PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.9,123 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:56MHz
    移位寄存器 74HC595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.2,123 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HCT165BQ,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,60 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:48MHz
    移位寄存器 74HCT594D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:45.1,86 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:100MHz
    移位寄存器 74HCT4094D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.9,89 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:86MHz
    移位寄存器 74LV164BQ,115 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT762 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:92,58 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:78MHz
    移位寄存器 74LV595D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:38.3,79 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:77MHz
    移位寄存器 74LV595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:41.8,114 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:77MHz

    推荐产品

    /Recommended products