IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 移位寄存器 | NPIC6C596D-Q100,11 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43,85 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | 74AXP1T125GWH | ||
| 移位寄存器 | NPIC6C596APW-Q100J | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47,119 电源电压:2.3 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43.4,84 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596BQ,115 | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:54,58 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596APWJ | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.1,118 电源电压:2.3 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C4894PWJ | 封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:96,40 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:12 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596ADJ | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43,115 电源电压:2.3 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C595PW,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.1,118 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596ABQX | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,54 电源电压:2.3 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596ABQ-Q100X | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,54 电源电压:2.3 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C4894PW-Q100J | 封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:105ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:96,40 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C4894DY | 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:8,78 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:12 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C4894D-Q100Y | 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:105ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:78,8 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4094BTTJ | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:121,50.9 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4021BTTJ | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:121,50.9 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:40MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4021BTT-Q100J | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:122,51 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:40MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4015BT,653 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:37.3,79 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:2 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:44MHz | |
| 移位寄存器 | 74VHC595BQ-Q100X | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:90,59 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz | |
| 移位寄存器 | 74LVC594ABQ,115 | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:3.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:92,61 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz | |
| 移位寄存器 | 74LVC595APW,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:53.9,124 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz | |
| 移位寄存器 | 74LV165APW,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:7.5ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:124,53.9 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:115MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT4094D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.9,89 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:86MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT166D,653 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:76,34 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:50MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT164D,653 | 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:107,65 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:55MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC595DB,118 | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC164BQ-Q100X | 封装/外壳:SOT762 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:73,105 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:78MHz | |
| 移位寄存器 | 74LV164PW-Q100J | 封装/外壳:SOT402 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:53,129 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:78MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT164T14-13 | 封装/外壳:14-TSSOP | |
| 移位寄存器 | 74HC164D14 | 封装/外壳:14-DIP | |
| 移位寄存器 | 74AHCT164T14-13 | 封装/外壳:14-TSSOP | |
| 移位寄存器 | 74AHCT164S14-13 | 封装/外壳:14-SOIC | |
| 移位寄存器 | 74AHCT164D14 | 封装/外壳:14-DIP | |
| 移位寄存器 | 74AHC164T14-13 | 封装/外壳:14-TSSOP | |
| 移位寄存器 | 74AHC164S14-13 | 封装/外壳:14-SOIC | |
| 移位寄存器 | 74AHC164D14 | 封装/外壳:14-DIP | |
| 移位寄存器 | TC74HC165AF(EL,F) | 产品状态:不适用于新设计 封装/外壳:16-SOP 元件数:1 功能:并行或串行至串行 工作温度:-40°C ~ 85°C 每个元件位数:8 电压-供电:2V ~ 6V 输出类型:补充型 逻辑类型:移位寄存器 | |
| 移位寄存器 | NPIC6C4894PW-Q100J | 封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:105ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:96,40 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | TC74VHC595FK(EL,K) | 产品状态:不适用于新设计 封装/外壳:16-VSSOP 元件数:1 功能:串行至并行 工作温度:-40°C ~ 85°C 每个元件位数:8 电压-供电:2V ~ 5.5V 输出类型:三态 逻辑类型:移位寄存器 | |
| 移位寄存器 | 74HCT595D | ||
| 移位寄存器 | NPIC6C4894PWJ | 封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:96,40 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:12 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596PW,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.1,118 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43.4,84 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C595D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43.4,84 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | 74VHC9595FT | 产品状态:在售 封装/外壳:16-TSSOPB 元件数:1 功能:串行至并行 工作温度:-40°C ~ 125°C 每个元件位数:8 电压-供电:2V ~ 5.5V 输出类型:推挽式 逻辑类型:移位寄存器 | |
| 移位寄存器 | 74VHC9164FT | 产品状态:在售 封装/外壳:16-TSSOPB 元件数:1 功能:通用 工作温度:-40°C ~ 125°C 每个元件位数:8 电压-供电:2V ~ 5.5V 输出类型:推挽式 逻辑类型:移位寄存器 | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596AD-Q100J | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43,85 电源电压:2.3 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C595D-Q100,11 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43,85 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596BQ-Q100,1 | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,54 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C595PW-Q100,1 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:119,47 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C595BQ,115 | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,54 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596BQ,115 | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:54,58 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | 74AHC594PW-Q100,11 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52,123 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:160MHz | |
| 移位寄存器 | 74AHC595D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT597D,653 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:74,32.3 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:83MHz | |
| 移位寄存器 | 74LVC594ABQ,115 | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:3.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:92,61 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4557BT,653 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:65ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:49,8 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:64 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:20MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4894BT,118 | 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:45ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:77,53 电源电压:3.0 - 15 输出电流:-20mA 通道数:12 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC595DB,112 | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC595BQ-Q100,115 | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40℃~125℃ 工作热阻:91,60 电源电压:2.0V~6.0V 输出电流:±7.8mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC594D | 产品状态:在售 封装/外壳:16-SOIC 元件数:1 功能:串行至并行,串行 工作温度:-40°C ~ 125°C 每个元件位数:8 电压-供电:2V ~ 6V 输出类型:推挽式 逻辑类型:移位寄存器 | |
| 移位寄存器 | 74LV165D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51,91 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:78MHz | |
| 移位寄存器 | 74VHC595FT | 产品状态:在售 封装/外壳:16-TSSOP 元件数:1 功能:串行至并行,串行 工作温度:-40°C ~ 85°C 每个元件位数:8 电压-供电:2V ~ 5.5V 输出类型:三态 逻辑类型:移位寄存器 | |
| 移位寄存器 | 74HCT594D,112 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:45.1,86 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:100MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC595PW,112 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:123,52.2 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT595DB,112 | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:+/- 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:57MHz | |
| 移位寄存器 | 74AHCT595S16-13 | 封装/外壳:16-SOIC | |
| 移位寄存器 | 74AHC594S16-13 | 封装/外壳:16-SOIC | |
| 移位寄存器 | 74HC165D | 产品状态:在售 封装/外壳:16-SOIC 元件数:1 功能:并行或串行至串行 工作温度:-40°C ~ 85°C 每个元件位数:8 电压-供电:2V ~ 6V 输出类型:补充型 逻辑类型:移位寄存器 | |
| 移位寄存器 | 74HC166D | 产品状态:在售 封装/外壳:16-SOIC 元件数:1 功能:并行或串行至串行 工作温度:-40°C ~ 125°C 每个元件位数:8 电压-供电:2V ~ 6V 输出类型:推挽式 逻辑类型:移位寄存器 | |
| 移位寄存器 | 74LVC8T595PWJ | 封装/外壳:SOT360 传播延迟时间:4.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43,100 电源电压:1.1 - 5.5V,1.1 - 5.5V 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL | |
| 移位寄存器 | 74AHC595PW,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51.4,122 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4794BT,112 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:45ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:82,41.3 电源电压:3.0 - 15 输出电流:-20mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz | |
| 移位寄存器 | 74LV4094DB,118 | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:+/- 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:95MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT165DB,118 | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:+/- 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:48MHz | |
| 移位寄存器 | 74LV4060PW,112 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:29ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:114,42.5 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL | |
| 移位寄存器 | HEF4894BT-Q100,118 | 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:45ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:53,77 电源电压:3.0 - 15 输出电流:-20mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC166D-Q100J | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:32,74 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:63MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC194D,653 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:36,78 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:4 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:102MHz | |
| 移位寄存器 | 74AHC595PW-Q100,11 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51,122 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596ABQ-Q100X | 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,54 电源电压:2.3 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | 74LV165D,112 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51,91 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:78MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT166DB,112 | 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:+/- 4.0mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:50MHz | |
| 移位寄存器 | 74LVC595AD,112 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:91,51 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC166PW,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40℃~125℃ 工作热阻:35.9,108 电源电压:2.0V~6.0V 输出电流:±5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:63MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC4094D,652 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:48,89 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:95MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT166D,652 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:76,34 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:50MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4094BT,652 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:48,89 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT166D,653 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:23ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:76,34 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:50MHz | |
| 移位寄存器 | HEF4894BT,112 | 封装/外壳:SOT163 传播延迟时间:45ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:77,53 电源电压:3.0 - 15 输出电流:-20mA 通道数:12 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz | |
| 移位寄存器 | 74HC4094PW,112 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:121,50.8 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:95MHz | |
| 移位寄存器 | 74HCT4094D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:19ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.9,89 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:86MHz | |
| 移位寄存器 | 74LV595D,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:79,38.3 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:77MHz | |
| 移位寄存器 | 74LV4060PW,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:29ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:42.5,114 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL | |
| 移位寄存器 | 74HCT164D,653 | 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:20ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:107,65 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:55MHz | |
| 移位寄存器 | 74LV165PW,112 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:120,48.7 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:78MHz | |
| 移位寄存器 | 74AHC594PW,112 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.2,123 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:160MHz | |
| 移位寄存器 | 74AHC594PW,118 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:4.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.2,123 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:160MHz | |
| 移位寄存器 | NPIC6C596PW-Q100,1 | 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:119,47 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz | |
| 移位寄存器 | 74LVC594AD,118 | 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:3.1ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51,91 电源电压:1.2 - 5.5 输出电流:± 24mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS/LVTTL 频率最大值:180MHz |