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    移位寄存器 HEF4014BT,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:40.2,81 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:40MHz
    移位寄存器 NPIC6C595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47.1,118 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz
    移位寄存器 NPIC6C596D-Q100,11 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:43,85 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz
    移位寄存器 74AHC595D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:4.0ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:49,90 电源电压:2.0 - 5.5 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:170MHz
    移位寄存器 74AHCT595BQ-Q100,1 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT763 传播延迟时间:3.8ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:59,90 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 8mA 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:170MHz
    移位寄存器 74HC165PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.9,123 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:56MHz
    移位寄存器 74HC164D,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT108 传播延迟时间:12ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:65,107 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:78MHz
    移位寄存器 74HC594DB,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:109MHz
    移位寄存器 74HC594D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:14ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:86,45 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:109MHz
    移位寄存器 74HC4094DB,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT338 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:148 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:+/- 5.2mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:95MHz
    移位寄存器 74HC595PW,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:16ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:123,52.2 电源电压:2.0 - 6.0 输出电流:± 7.8mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:108MHz
    移位寄存器 74HCT165PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:123,52.9 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 4mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:48MHz
    移位寄存器 74HCT595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.2,123 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:57MHz
    移位寄存器 74HCT595PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:25ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:52.2,123 电源电压:4.5 - 5.5 输出电流:± 6mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:57MHz
    移位寄存器 74LV165D,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:18ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:51,91 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 12mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:78MHz
    移位寄存器 74LV595D,112 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:15ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:38.3,79 电源电压:1.0 - 3.6 输出电流:± 8mA 通道数:8 逻辑切换水平:TTL 频率最大值:77MHz
    移位寄存器 74LV4060PW,118 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:29ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:42.5,114 电源电压:1.0 - 5.5 输出电流:± 6mA 逻辑切换水平:TTL
    移位寄存器 HEF4021BT,653 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:48,89 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:40MHz
    移位寄存器 HEF4021BT,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:40ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:48,89 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:40MHz
    移位寄存器 HEF4094BT,652 Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT109 传播延迟时间:50ns 工作温度:-40~85℃ 工作热阻:48,89 电源电压:3.0 - 15 输出电流:± 2.4mA 通道数:8 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:28MHz
    移位寄存器 NPIC6C596APW-Q100J Nexperia(安世) 封装/外壳:SOT403 传播延迟时间:90ns 工作温度:-40~125℃ 工作热阻:47,119 电源电压:2.3 - 5.5 输出电流:100mA 逻辑切换水平:CMOS 频率最大值:10MHz
    移位寄存器 MC74HC165ADTR2G ON(安森美) 系列:74HC 逻辑类型:移位寄存器 输出类型:补充型 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 功能:并行或串行至串行 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 电压 - 电源:2 V ~ 6 V
    移位寄存器 MC74HC165ADR2G ON(安森美) 系列:74HC 逻辑类型:移位寄存器 输出类型:补充型 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 功能:并行或串行至串行 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电压 - 电源:2 V ~ 6 V
    移位寄存器 MC74HC165ADTR2G ON(安森美) 系列:74HC 逻辑类型:移位寄存器 输出类型:补充型 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 功能:并行或串行至串行 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 电压 - 电源:2 V ~ 6 V
    移位寄存器 MC74HC165ADR2G ON(安森美) 系列:74HC 逻辑类型:移位寄存器 输出类型:补充型 元件数:1 Ohms 每元件位数:8 功能:并行或串行至串行 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 电压 - 电源:2 V ~ 6 V

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