参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI7431DP-T1-GE3
说明	功率MOSFET   SOIC-8 6.15mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6630 [库存更新时间：2025-04-17]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	135nC @ 10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOIC-8
连续漏极电流Id	3.6A
Pd-功率耗散(Max)	1.9W
Qg-栅极电荷	88nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	147mΩ
漏源极电压Vds	200V
栅极电压Vgs	4V
上升时间	49ns
下降时间	66ns
典型关闭延迟时间	110ns
典型接通延迟时间	23ns
宽度	5.15mm
正向跨导 - 最小值	17S
系列	SI7
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	6.15mm
高度	1.04mm