| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | AOSD62666E |
| 说明 | 功率MOSFET SO-8 |
| 品牌 | AOS(万国半导体) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 630 [库存更新时间：2025-04-08] |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| FET类型 | N-Channel |
| ESD Diode | Yes |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 连续漏极电流Id | 9.5A |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14.5mΩ@10V |
| Rds On(Max)@4.5V | 19mΩ |
| VGS(th) | 2.2 |
| Ciss(pF) | 755 |
| Coss(pF) | 220 |
| Crss(pF) | 20 |
| Qg*(nC) | 6.5 |
| Qgd(nC) | 3 |
| Trr(ns) | 15 |
| Qrr(nC) | 45 |
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