参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI7172DP-T1-GE3
说明	功率MOSFET   6.15mm SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	9643 [库存更新时间：2025-04-12]
系列	SI
高度	1.04 mm
长度	6.15 mm
宽度	5.15 mm
零件号别名	SI7172DP-GE3
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	77nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2250pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	5.4W(Ta),96W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	5.9A
Rds On(Max)@Id,Vgs	70mΩ