参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI4134DY-T1-GE3
说明	功率MOSFET   4.9mm SOIC-8
起订量	2
最小包	2
现货	438 [库存更新时间：2025-04-22]
系列	SI
高度	1.75 mm
长度	4.9 mm
宽度	3.9 mm
零件号别名	SI4134DY-GE3
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	846pF @ 15V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta),5W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	14A
Rds On(Max)@Id,Vgs	14mΩ