参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | SI3588DV-T1-E3 |
说明 | 通用MOSFET TSOT-23-6 |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 446 [库存更新时间:2025-04-22] |
连续漏极电流Id | 2.5A,570mA |
FET类型 | N+P-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 80 mOhms @ 3A,4.5V |
Vgs(th) | 450mV @ 250uA(最小) |
Pd-功率耗散(Max) | 830mW,83mW |
封装/外壳 | TSOT-23-6 |
工作温度 | -55℃~150℃ |
漏源极电压Vds | 20V |