参数 | 值 |
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产品 | 小信号MOSFET |
型号编码 | SI2318DS-T1-E3 |
说明 | 小信号MOSFET SOT-23-3 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6238 [库存更新时间:2025-04-15] |
系列 | TrenchFET® |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 540pF @ 20V |
栅极电压Vgs | ±20V |
Pd-功率耗散(Max) | 750mW(Ta) |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-23-3 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 40V |
连续漏极电流Id | 3A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 45mΩ |