参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI2303CDS-T1-GE3
说明	功率MOSFET   2.9mm SOT-23-3
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	27633 [库存更新时间：2025-04-06]
系列	SI
高度	1.45 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.6 mm
零件号别名	SI2303BDS-T1-E3-S
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	155pF @ 15V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	1W(Ta),2.3W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	1.9A
Rds On(Max)@Id,Vgs	190mΩ