参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	SI2302CDS-T1-GE3
说明	小信号MOSFET   SOT-23-3 2.9mm
起订量	3
最小包	3
现货	440 [库存更新时间：2025-04-22]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	850mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5.5nC @ 4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3
连续漏极电流Id	2.9A
Pd-功率耗散(Max)	860mW
Qg-栅极电荷	5.5nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	57mΩ
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	400mV
上升时间	7ns
下降时间	7ns
典型关闭延迟时间	30ns
典型接通延迟时间	8ns
宽度	1.60mm
正向跨导 - 最小值	13S
系列	SI2
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	2.9mm
高度	1.45mm