参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	RW1A025APT2CR
说明	通用MOSFET   SOT-563,SOT-666 WEMT
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	484 [库存更新时间：2025-04-02]
连续漏极电流Id	2.5A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	16nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2000pF @ 6V
栅极电压Vgs	-8V
Pd-功率耗散(Max)	400mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	62mΩ@2.5A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
封装/外壳	WEMT
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	2.5A