参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	RTU002P02T106
说明	小信号MOSFET   TSMT 2.9mm
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6309 [库存更新时间：2025-04-07]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	50pF @ 10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TSMT
连续漏极电流Id	250mA
Pd-功率耗散(Max)	200mW
Rds On(Max)@Id,Vgs	2Ω
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	12V
上升时间	6ns
下降时间	6ns
典型关闭延迟时间	35ns
典型接通延迟时间	9ns
宽度	1.60mm
通道数量	1Channel
配置	Single
长度	2.9mm
高度	0.85mm
FET类型	P-Channel