参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	RF4E110BNTR
说明	功率MOSFET   DFN2020-8
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	1
最小包	3000
现货	247 [库存更新时间：2025-04-18]
连续漏极电流Id	11A
Pd-功率耗散(Max)	2W
Qg-栅极电荷	24nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	11.1mΩ
漏源极电压Vds	30V
栅极电压Vgs	2V
上升时间	12ns
下降时间	11ns
典型关闭延迟时间	43ns
典型接通延迟时间	14ns
封装/外壳	DFN2020-8
FET类型	N-Channel
正向跨导 - 最小值	6S
系列	RF4E110BN
通道数量	1Channel
配置	Single
工作温度	-55°C~150°C