| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | RF4E080GNTR |
| 说明 | 功率MOSFET DFN2020-8 |
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 现货 | 484 [库存更新时间：1970-01-01] |
| 连续漏极电流Id | 8A |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W |
| Qg-栅极电荷 | 5.8nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.6mΩ |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 栅极电压Vgs | 2.5V |
| 上升时间 | 3.6ns |
| 下降时间 | 2.4ns |
| 典型关闭延迟时间 | 17.3ns |
| 典型接通延迟时间 | 6.9ns |
| 封装/外壳 | DFN2020-8 |
| FET类型 | N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值 | 5S |
| 系列 | RF4E080GN |
| 通道数量 | 1Channel |
| 配置 | Single |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
IC普拉斯 元器件现货
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productsRF4E080GNTR
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