| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | PSMN2R6-30YLC,115 |
| 说明 | 功率MOSFET SOT669 |
| 品牌 | Nexperia(安世) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 132 [库存更新时间：2024-05-23] |
| 封装/外壳 | SOT669 |
| FET类型 | N-Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 2.8mΩ@10V,3.65mΩ@4.5V |
| Pd-功率耗散(Max) | 106W |
| 工作温度 | 175℃ |
| 栅极电压Vgs | 1.54V |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 输入电容 | 2435pF |
| 输出电容 | 549pF |
| 连续漏极电流Id | 100A |
IC普拉斯 元器件现货
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