参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | PMPB10XNE,115 |
说明 | 功率MOSFET DFN-MD |
品牌 | Nexperia(安世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 111 [库存更新时间:2025-04-20] |
封装/外壳 | DFN-MD |
FET类型 | N-Channel |
Rds On(max)@Id,Vgs | 18mΩ@2.5V,14mΩ@4.5V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.7W |
工作温度 | 150℃ |
栅极电压Vgs | 0.65V,12V |
漏源极电压Vds | 20V |
输入电容 | 2175pF |
输出电容 | 235pF |
连续漏极电流Id | 12.9A |