参数	值
产品	未分类
型号编码	PMBFJ112,215
说明	未分类   SOT-23(TO-236AB) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
品牌	NXP Semiconductors(恩智浦)
起订量	0
最小包	0
现货	123 [库存更新时间：2025-04-21]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）	5mA @ 15V
不同Id时的电压-截止（VGS关）	5V @ 1µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	6pF @ 10V(VGS)
电阻-RDS（开）	50 欧姆
Power-Max	300mW
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23(TO-236AB)
FET类型	N-Channel
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	5mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	5V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6pF @ 10V(VGS)
电阻 - RDS（开）	50 Ohms
功率	3/10W
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	SOT-23(TO-236AB)