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    产品 型号 品牌 参数
    未分类 MC34709VK NXP Semiconductors(恩智浦) 电流 - 电源:370µA 电压 - 电源:3 V ~ 4.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:130-LFBGA 封装/外壳:130-MAPBGA(8x8)
    未分类 MMPF0200NPAEP NXP Semiconductors(恩智浦) 封装/外壳:56-VFQFN 裸露焊盘 电压 - 输入:2.8 V ~ 4.5 V 输出数:11 电压 - 输出:多重 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:56-QFN(8x8)
    未分类 MKM34Z256VLL7R NXP Semiconductors(恩智浦) 核心处理器:ARM® Cortex®-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:75MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:DMA,LCD,WDT I/O 数:72 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:32K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.71 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 12x16b,4x24b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-LQFP(14x14)
    未分类 MKM33Z128ACLL5R NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 MCIMX257CJM4 NXP Semiconductors(恩智浦) 核心处理器:ARM926EJ-S 核数/总线宽度:1 코어,32 位 速度:400MHz RAM 控制器:LPDDR,DDR,DDR2 图形加速:无 显示与接口控制器:小键盘,LCD,触摸屏 以太网:10/100 Mbps(1) USB:USB 2.0 + PHY(2) 电压 - I/O:2.0V,2.5V,2.7V,3.0V,3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:400-LFBGA 封装/外壳:400-MAPBGA(17x17) 附加接口:CAN,I²C,I²S,MMC/SD/SDIO,SAI,SPI,SSI,SSP,UART
    未分类 LTE3401HX NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74LVC1G19GW NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 PZU5.6B3A,115 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74HC574DB,118 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74LVC2244ADB,118 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74LV244DB,118 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74AUP2G07GM,132 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74HCT241PW,118 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74LVC244ADB,112 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74ABT244DB,112 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74LVC273PW,112 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 74LVT2244DB,118 NXP Semiconductors(恩智浦) 高电平输出电流:- 12 mA 逻辑系列:LVT 逻辑类型:BiCMOS 低电平输出电流:12 mA 最小工作温度:- 40 C 每芯片的通道数量:8 输出类型:3-State 传播延迟时间:2.9 ns at 3.3 V 零件号别名:74LVT2244DB-T 极性:Non-Inverting 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.7 V 最大工作温度:+ 85 C 封装/外壳:SOT-339-20
    未分类 TDA8566TH/N2S,112 NXP Semiconductors(恩智浦) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC(0.433",11.00mm 宽)裸露焊盘 FET类型:B 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:55W x 2 @ 2 欧姆 电压 - 电源:6 V ~ 18 V 封装/外壳:20-HSOP
    未分类 PBSS4630PA,115 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 TDA8932BT/N2,112 NXP Semiconductors(恩智浦) FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道)或 2-通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:55W x 1 @ 8 欧姆;26.5W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:10 V ~ 36 V,±5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:55W x 1 @ 8 欧姆;26.5W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 电源:10 V ~ 36 V,±5 V ~ 18 V 封装/外壳:32-SO
    未分类 TDA8595SD/N2S,112 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 PBSS2515M,315 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 PSMN1R5-40ES,127 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 BUK9Y29-40E,115 NXP Semiconductors(恩智浦) 最高工作温度:+ 175 C 37 W:Pd - 功率消耗 封装/外壳:LFPAK56-4 下降时间:5 ns 最低工作温度:- 55 C 上升时间:7 ns 标准包装数量:1500 FET类型:N-Channel 标准断开延迟时间:9 ns 漏源极电压Vds:40 V 栅极电压Vgs:10 V 连续漏极电流Id:25 A Rds On(Max)@Id,Vgs:25.8 m0hms 配置:Triple Common Source 栅极电压Vgs:1.7 V 5 nC:Qg - 闸极充电
    未分类 BCV61B,215 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 PBSS304PD,115 NXP Semiconductors(恩智浦)
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    未分类 BUK9Y8R7-60E,115 NXP Semiconductors(恩智浦)
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    未分类 PSMN020-100YS,115 NXP Semiconductors(恩智浦)
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    通用三极管 BCX53-16,115 NXP Semiconductors(恩智浦) FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 电压-集射极击穿（最大值）:80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,2V 功率:1.3W 频率-跃迁:145MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3
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    未分类 BFR30,235 NXP Semiconductors(恩智浦) FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:25V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:4mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ .5nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4pF @ 10V 功率:1/4W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23(TO-236AB)
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    未分类 BCP54-10,135 NXP Semiconductors(恩智浦) 最高工作温度:+ 150 C 封装/外壳:SOT-223 250:直流电最大增益hFE 连续集电极电流:1 A 40:直流集电极/增益 hfe 最小值 最大功率消耗:0.96 W 最低工作温度:- 65 C 标准包装数量:4000 配置:Single FET类型:NPN 集电极-基极电压VCBO:45 V 发射机-基极电压VEBO:5 V 集电极最大直流电流:1.5 A 180 MHz:增益带宽积 fT
    未分类 BCM847BS,135 NXP Semiconductors(恩智浦)
    未分类 BUK9Y3R0-40E,115 NXP Semiconductors(恩智浦) 194 W:Pd - 功率消耗 35.5 nC:Qg - 闸极充电 FET类型:N-Channel 最低工作温度:- 55 C 最高工作温度:+ 175 C 标准包装数量:1500 标准断开延迟时间:53 ns 连续漏极电流Id:100 A 配置:Triple Common Source Rds On(Max)@Id,Vgs:2.47 m0hms 漏源极电压Vds:40 V 栅极电压Vgs:15 V 栅极电压Vgs:1.7 V 上升时间:44 ns 下降时间:34 ns
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