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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | LPC54605J256BD100E | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | TJF1051T/3,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:收发器 协议:CAN 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:120mV 数据速率:5Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | TJA1055T/C,512 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:收发器 协议:CAN 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:14-SO 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:14-SO |
| 未分类 | TJA1051T,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:收发器 协议:CAN 驱动器/接收器数:1/1 双工:半 接收器滞后:120mV 数据速率:5Mbps 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:8-SO 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | TJA1028T/5V0/20 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 最高数据速率:20kBd 收发器数目:1 Ohms 标准支持:LIN 2.0,LIN 2.1,LIN 2.2,SAE J2602 断电模式:睡眠,待机 最大电源电流:4.5 mA 封装/外壳:SOIC 引脚数目:8 封装/外壳:5 x 4 x 1.45mm 长度:5mm 宽度:4mm 高度:1.45mm 最大工作电源电压:5.1 V 最高工作温度:+150 °C 最小工作电源电压:4.9 V 最低工作温度:-40 °C |
| 未分类 | TJA1027T/20,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:收发器 协议:LIN 驱动器/接收器数:1/1 接收器滞后:175mV 电压-电源:5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:8-SO 电压 - 电源:5 V ~ 18 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | TEA1795T/N1,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:GreenChip™ 电压-电源:8.5 V ~ 38 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:8-SO 电压 - 电源:8.5 V ~ 38 V 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | TEA1751T/N1,518 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 频率 - 开关:100kHz ~ 150kHz 功率:250W 故障保护:限流,开路,超功率,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 输出隔离:隔离 内部开关:无 电压 - 击穿:650V 拓扑:回扫 电压 - 启动:22V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:15 V ~ 38 V 拓扑:反激 封装/外壳:16-SO |
| 未分类 | TEA1751LT/N1,518 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 输出隔离:隔离 内部开关:无 电压 - 击穿:650V 拓扑:反激 电压 - 启动:22V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:15 V ~ 38 V 频率 - 开关:100kHz ~ 150kHz 功率:250W 故障保护:限流,开路,超功率,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:16-SO 封装/外壳:SOIC 引脚数目:16 封装/外壳:10 x 4 x 1.45mm 长度:10mm 宽度:4mm 高度:1.45mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-40 °C |
| 未分类 | TEA1750T/N1/DG,518 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 频率 - 开关:100kHz ~ 150kHz 功率:250W 故障保护:限流,开环,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 输出隔离:隔离 内部开关:是 电压 - 击穿:650V 拓扑:回扫 电压 - 启动:22V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:15 V ~ 38 V 拓扑:反激 封装/外壳:16-SO |
| 未分类 | TEA1733T/N1,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:GreenChip™ 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:反激 电压-启动:20.6V 电压-电源（Vcc/Vdd）:12.2 V ~ 30 V 占空比:72% 频率-开关:66.5kHz 功率:75W 故障保护:限流,超功率,超温,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 电压 - 启动:20.6V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:12.2 V ~ 30 V 频率 - 开关:66.5kHz 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | TEA1731TS/1,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 频率 - 开关:27kHz ~ 65kHz 功率:75W 故障保护:限流,超功率,过压 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SC-74,SOT-457 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:回扫 电压 - 启动:21.5V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:12.5 V ~ 30 V 占空比:80% 拓扑:反激 封装/外壳:6-TSOP |
| 未分类 | TEA1721FT/N1,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 内部开关:是 电压-击穿:700V 拓扑:反激 电压-启动:17V 电压-电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 35 V 占空比:75% 频率-开关:22.5kHz ~ 50.5kHz 功率:5W 故障保护:超温,过压,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:7-SO 电压 - 击穿:700V 电压 - 启动:17V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 35 V 频率 - 开关:22.5kHz ~ 50.5kHz 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线 封装/外壳:7-SO |
| 未分类 | TEA1721BT/N1,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 内部开关:是 电压-击穿:700V 拓扑:反激 电压-启动:17V 电压-电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 35 V 占空比:75% 频率-开关:22.5kHz ~ 50.5kHz 功率:5W 故障保护:超温,过压,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:7-SO 电压 - 击穿:700V 电压 - 启动:17V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 35 V 频率 - 开关:22.5kHz ~ 50.5kHz 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线 封装/外壳:7-SO |
| 未分类 | TEA1721AT/N1,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 内部开关:是 电压-击穿:700V 拓扑:反激 电压-启动:17V 电压-电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 35 V 占空比:75% 频率-开关:22.5kHz ~ 50.5kHz 功率:5W 故障保护:超温,过压,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:7-SO 电压 - 击穿:700V 电压 - 启动:17V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:8.5 V ~ 35 V 频率 - 开关:22.5kHz ~ 50.5kHz 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线 封装/外壳:7-SO |
| 未分类 | TDA8551T/N1,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:AB 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:1.4W x 1 @ 8 欧姆 电压-电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:1.4W x 1 @ 8 欧姆 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | TDA8541T/N1,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:AB 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:1.2W x 1 @ 8 欧姆 电压-电源:2.2 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:1.2W x 1 @ 8 欧姆 电压 - 电源:2.2 V ~ 18 V 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | TDA8029HL/C207,151 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 接口:串行 电压 - 电源:2.7 V ~ 6 V 封装/外壳:32-LQFP 封装/外壳:32-LQFP(7x7) |
| 未分类 | TDA7056AT/N2,512 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:AB 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3.5W x 1 @ 16 欧姆 电压-电源:4.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:3.5W x 1 @ 16 欧姆 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 封装/外壳:20-SO |
| 未分类 | TDA3664AT/N1,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:45V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.3V @ 50mA 电流-输出:100mA 电流-电源:30µA ~ 2.5mA PSRR:60dB(120Hz) 保护功能:超温,反极性,短路,瞬态电压 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO 电压 - 输入（最大值）:45V 电压 - 输出（最小值/固定）:5V 电流 - 输出:100mA 电流 - 静态（Iq):30µA 电流 - 电源（最大值）:2.5mA 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | TDA1308T/N2,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:AB 类 输出类型:耳机,2-通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:80mW x 2 @ 32 欧姆 电压-电源:3 V ~ 7 V,±1.5 V ~ 3.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:80mW x 2 @ 32 欧姆 电压 - 电源:3 V ~ 7 V,±1.5 V ~ 3.5 V 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | BF513,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:N 通道 JFET 频率:100MHz 电压-测试:10V 额定电流:30mA 噪声系数:1.5dB 电流-测试:5mA 电压:20V 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) 电压 - 测试:10V 电流 - 测试:5mA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) |
| 未分类 | BF1105R,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:N 通道双门 频率:800MHz 增益:20dB 电压-测试:5V 额定电流:30mA 噪声系数:1.7dB 电压:7V 封装/外壳:SOT-143R 电压 - 测试:5V 封装/外壳:SOT-143R |
| 未分类 | ASC8848AETE | NXP Semiconductors(恩智浦) | 核心处理器:ARM9® 接口:EBI/EMI,以太网,I²S,IrDA,SD/MMC,SPI,UART/USART,USB OTG 封装/外壳:484-TFBGA 封装/外壳:484-TFBGA(15x15) |
| 未分类 | BAP51LX,315 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 二极管类型:PIN - 单 电压-峰值反向（最大值）:60V 电流-最大值:100mA 不同 Vr，F时的电容:0.3pF @ 5V,1MHz 不同 If，F时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz 功率:0.14W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD2 电压 - 峰值反向（最大值）:60V 电流 - 最大值:100mA 不同 Vr，F 时的电容:0.3pF @ 5V,1MHz 不同 If，F 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA,100MHz 封装/外壳:SOD-882 封装/外壳:SOD2 |
| 未分类 | BAP1321-02,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 二极管类型:PIN - 单 电压-峰值反向（最大值）:60V 电流-最大值:100mA 不同 Vr，F时的电容:0.32pF @ 20V,1MHz 不同 If，F时的电阻:1.3 欧姆 @ 100mA,100MHz 功率:0.715W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-523 电压 - 峰值反向（最大值）:60V 电流 - 最大值:100mA 不同 Vr，F 时的电容:0.32pF @ 20V,1MHz 不同 If，F 时的电阻:1.3 欧姆 @ 100mA,100MHz 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SOD-523 |
| 未分类 | BFQ540,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz 功率:1.2W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA,8V 电流-集电极（Ic）（最大值）:120mA 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz 功率:1.2W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120mA 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 未分类 | BFT93,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:P-Channel 电压-集射极击穿（最大值）:12V 频率-跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:2.4dB @ 500MHz 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 30mA,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:35mA 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.4dB @ 500MHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 30mA,5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35mA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) |
| 未分类 | BA891,115-CUT TAPE | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | BFM520,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:2 NPN(双) 电压-集射极击穿（最大值）:8V 频率-跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 功率:1W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA,6V 电流-集电极（Ic）（最大值）:70mA 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP 电压 - 集射极击穿（最大值）:8V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 功率:1W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 20mA,6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:6-TSSOP |
| 未分类 | BF862,215-CUT TAPE | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | BF862,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:N 通道 JFET 额定电流:25mA 电压:20V 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) |
| 未分类 | BFU530AR | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:12V 频率-跃迁:11GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.6dB @ 900MHz 增益:18dB 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,8V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:11GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.6dB @ 900MHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) |
| 未分类 | BFT92,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:P-Channel 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:2.5dB @ 500MHz 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 14mA,10V 电流-集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 500MHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 14mA,10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) |
| 未分类 | BFG403W,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:4.5V 频率-跃迁:17GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:20dB ~ 22dB 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3mA,2V 电流-集电极（Ic）（最大值）:3.6mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:CMPAK-4 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:17GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3mA,2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3.6mA 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 封装/外壳:CMPAK-4 |
| 未分类 | ASL246SHNY | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | BF1118,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 频率 -下:DC 频率 -上:1GHz 隔离@频率:30dB @ 1GHz(最小) 插损@频率:2.5dB(最大) @ 1GHz 阻抗:50 欧姆 封装/外壳:SOT-143B 频率 - 下:DC 频率 - 上:1GHz 隔离 @ 频率:30dB @ 1GHz(最小) 插损 @ 频率:2.5dB(最大) @ 1GHz 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 封装/外壳:SOT-143B |
| 未分类 | BFQ149,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:P-Channel 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:3.3dB @ 500MHz 功率:1W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 70mA,10V 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3.3dB @ 500MHz 功率:1W 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 70mA,10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 封装/外壳:TO-243AA 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 未分类 | BFG505,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA,6V 电流-集电极（Ic）（最大值）:18mA 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:SOT-143B 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA,6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:18mA 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 封装/外壳:SOT-143B |
| 未分类 | BFU520YX | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:汽车级,AEC-Q101 FET类型:2 NPN(双) 电压-集射极击穿（最大值）:12V 频率-跃迁:10GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.65dB @ 900MHz 增益:19dB 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA,8V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-363 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.65dB @ 900MHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA,8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SOT-363 |
| 未分类 | BF908WR,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:N 通道双门 频率:200MHz 电压-测试:8V 额定电流:40mA 噪声系数:0.6dB 电流-测试:15mA 电压:12V 封装/外壳:CMPAK-4 电压 - 测试:8V 电流 - 测试:15mA 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 封装/外壳:CMPAK-4 |
| 未分类 | BAP55LX,315 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 二极管类型:PIN - 单 电压-峰值反向（最大值）:50V 电流-最大值:100mA 不同 Vr，F时的电容:0.28pF @ 20V,1MHz 不同 If，F时的电阻:800 毫欧 @ 100mA,100MHz 功率:0.135W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:2-DFN1006D (0.6x1.0) 电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同 Vr，F 时的电容:0.28pF @ 20V,1MHz 不同 If，F 时的电阻:800 毫欧 @ 100mA,100MHz 封装/外壳:2-XDFN 封装/外壳:2-DFN1006D (0.6x1.0) |
| 未分类 | BAP70-02,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 二极管类型:PIN - 单 电压-峰值反向（最大值）:50V 电流-最大值:100mA 不同 Vr，F时的电容:0.25pF @ 20V,1MHz 不同 If，F时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA,100MHz 功率:0.415W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOD-523 电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - 最大值:100mA 不同 Vr，F 时的电容:0.25pF @ 20V,1MHz 不同 If，F 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA,100MHz 封装/外壳:SC-79,SOD-523 封装/外壳:SOD-523 |
| 未分类 | BGA2001,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 频率:1.8GHz 增益:22dB 噪声系数:1.3dB RF类型:手机,DECT,PHS,SATV 电压-电源:4.5V 电流-电源:3mA ~ 6mA 测试频率:900MHz 封装/外壳:CMPAK-4 RF 类型:手机,DECT,PHS,SATV 电压 - 电源:4.5V 电流 - 电源:3mA ~ 6mA 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 封装/外壳:CMPAK-4 |
| 未分类 | BFG67,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:10V 频率-跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA,5V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:SOT-143B 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:8GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA,5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 封装/外壳:SOT-143B |
| 未分类 | BFU725F/N1,115-CUT TAPE | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | BFR92AW,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA,10V 电流-集电极（Ic）（最大值）:25mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323-3 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:65 @ 15mA,10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 封装/外壳:SC-70,SOT-323 封装/外壳:SOT-323-3 |
| 未分类 | BFU630F,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:5.5V 频率-跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 增益:13dB ~ 22.5dB 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA,2V 电流-集电极（Ic）（最大值）:30mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:4-DFP 电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5V 频率 - 跃迁:21GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA,2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 封装/外壳:SOT-343F 封装/外壳:4-DFP |
| 未分类 | BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:2.8V 频率-跃迁:55GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz 增益:10dB ~ 24dB 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 10mA,2V 电流-集电极（Ic）（最大值）:40mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:4-SO 电压 - 集射极击穿（最大值）:2.8V 频率 - 跃迁:55GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 10mA,2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40mA 封装/外壳:SOT-343 反向插针 封装/外壳:4-SO |
| 未分类 | BGU7031,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 频率:40MHz ~ 1GHz P1dB:13dBm(20mW) 增益:10dB 噪声系数:4.5dB 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:43mA 测试频率:1GHz 封装/外壳:6-TSSOP P1dB:13dBm 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流 - 电源:43mA 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:6-TSSOP |
| 未分类 | BGA2748,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 频率:100MHz ~ 2.2GHz P1dB:-9.2dBm(0.1mW) 增益:21.8dB 噪声系数:1.9dB RF类型:ISM 电压-电源:3 V ~ 4 V 电流-电源:15mA 测试频率:1GHz 封装/外壳:6-TSSOP P1dB:-9.2dBm RF 类型:ISM 电压 - 电源:3 V ~ 4 V 电流 - 电源:15mA 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:6-TSSOP |
| 未分类 | DEMO9S12XHY256 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 板类型:评估平台 FET类型:MCU 16-位 核心处理器:HCS12X 配套使用产品/相关产品:MC9S12XHY256 安装类型:固定 内容:板,LCD |
| 未分类 | JN517X-DK005Z | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:收发器; 802.15.4(线程, ZigBee®) 频率:2.4GHz 配套使用产品/相关产品:JN5179 所含物品:板 |
| 整流二极管 | BYV25FD-600,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:标准 反向电压Vr:600V 正向电流If:5A 正向电压Vf:1.9V @ 5A 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间trr:35ns 反向漏电流Ir:50µA @ 600V 封装/外壳:DPAK 工作温度-结:150°C(最大) |
| 未分类 | CLRC63201T/0FE,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:I-Code FET类型:RFID 阅读器 频率:13.56MHz 标准:ISO 14443,ISO 15693,MIFARE 接口:SPI 电压-电源:3.3 V ~ 5 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:32-SO 电压 - 电源:3.3 V ~ 5 V 封装/外壳:32-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:32-SO |
| 未分类 | KTY81/210,116 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:KTY81 25°C时欧姆阻值:2k 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:PBCYT2 25°C 时阻值:2 kOhms 封装/外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)(成形引线) 封装/外壳:PBCYT2 |
| 未分类 | CBTL06DP212EE,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 多路复用器/解复用器电路:2:1, 4:1 通道数:6 导通电阻（最大值）:6.5 欧姆(标准) 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db带宽:5GHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFBGA(5x5) 电压 - 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db 带宽:5GHz 封装/外壳:48-TFBGA 封装/外壳:48-TFBGA(5x5) |
| 未分类 | BGU7044,115-CUT TAPE | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | HTRC11001T/02EE,11 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:HITAG® 1 FET类型:RFID 阅读器 频率:125kHz 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:14-SO 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:14-SO |
| 未分类 | BSS83,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:N 通道 额定电流:50mA 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 封装/外壳:SOT-143B FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:10V 连续漏极电流Id:0.05A 电压:10V 封装/外壳:SOT-143B |
| 未分类 | CLRC63201T/0FE,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:I-Code FET类型:RFID 阅读器 频率:13.56MHz 标准:ISO 14443,ISO 15693,MIFARE 接口:SPI 电压-电源:3.3 V ~ 5 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:32-SO 电压 - 电源:3.3 V ~ 5 V 封装/外壳:32-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 封装/外壳:32-SO |
| 未分类 | JN5168/001,515 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:802.15.4 协议:ZigbeePRO® 调制:O-QPSK 频率:2.4GHz 数据速率（最大值）:1Mbps 功率-输出:2.5dBm 灵敏度:-96dBm 存储容量:256kB 闪存,4kB EEPROM,32kB RAM 串行接口:I²C,JTAG,SPI,UART GPIO:20 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 电流-接收:17mA 电流-传输:15.3mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘 功率 - 输出:2.5dBm 电压 - 电源:2 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:17mA 电流 - 传输:15.3mA |
| 未分类 | CBTL04083ABS,518 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 通道数:4 导通电阻（最大值）:6 欧姆(标准) 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db带宽:8.3GHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:42-HVQFN 电压 - 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db 带宽:8.3GHz 封装/外壳:42-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:42-HVQFN |
| 未分类 | CLRC66302HN,151 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:RFID 阅读器 频率:13.56MHz 标准:ISO 14443,ISO 15693,18000-3,MIFARE,NFC 接口:I²C,SPI,UART 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:32-HVQFN(5x5) 电压 - 电源:3 V ~ 5.5 V 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:32-HVQFN(5x5) |
| 未分类 | BGU7060Y | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | KTY81/221,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:KTY81 25°C时欧姆阻值:1.98k 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:PBCYT2 25°C 时阻值:1.98 kOhms 封装/外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC) 封装/外壳:PBCYT2 |
| 未分类 | CBTL02042BBQ,115 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 多路复用器/解复用器电路:2:1 通道数:2 导通电阻（最大值）:6 欧姆(标准) 电压- 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db带宽:7GHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-DHVQFN(4.5x 2.5) 电压 - 电源，单（V+）:3 V ~ 3.6 V -3db 带宽:7GHz 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:20-DHVQFN(4.5x 2.5) |
| 未分类 | BGU8053X | NXP Semiconductors(恩智浦) | 频率:2GHz ~ 4GHz P1dB:18dBm 增益:18.5dB 噪声系数:0.56dB RF类型:GSM,LTE,W-CDMA 电压-电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流-电源:48mA 测试频率:2.5GHz 封装/外壳:8-HWSON(2x2) RF 类型:GSM,LTE,W-CDMA 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 电流 - 电源:48mA 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-HWSON(2x2) |
| 未分类 | JN5169/001Z | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:TxRx + MCU 射频系列/标准:802.15.4 协议:Zigbee® 调制:O-QPSK 频率:2.4GHz 数据速率（最大值）:400kbps 功率-输出:10dBm 灵敏度:-96.5dBm 存储容量:512kB 闪存,4kB EEPROM,32kB RAM 串行接口:I²C,JTAG,SPI,UART GPIO:20 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 电流-接收:13mA ~ 15mA 电流-传输:14mA ~ 23.3mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘 功率 - 输出:10dBm 电压 - 电源:2 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:13mA ~ 15mA 电流 - 传输:14mA ~ 23.3mA |
| 未分类 | DSP56F807PY80E | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:56F8xx 核心处理器:56800 核心尺寸:16-位 速度:80MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,SCI,SPI 外设:POR,PWM,WDT I/O数:32 程序存储容量:120KB(60K x 16) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:4K x 16 电压-电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b 振荡器类型:外部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:160-LQFP(24x24) I/O 数:32 RAM 容量:4K x 16 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:3 V ~ 3.6 V 封装/外壳:160-LQFP 封装/外壳:160-LQFP(24x24) |
| 未分类 | CLEV663B,699 | NXP Semiconductors(恩智浦) | FET类型:读取器模块 频率:13.56MHz 配套使用产品/相关产品:CLRC663 所含物品:板 |
| 未分类 | FRDM-TOUCH | NXP Semiconductors(恩智浦) | 平台:Freescale Freedom 开发平台 FET类型:传感器 功能:触摸 内容:板 |
| 未分类 | KTY81/120,112 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:KTY81 25°C时欧姆阻值:1k 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:PBCYT2 25°C 时阻值:1 kOhms 封装/外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC) 封装/外壳:PBCYT2 |
| 未分类 | JN5169-001-M06-2Z | NXP Semiconductors(恩智浦) | 射频系列/标准:802.15.4 协议:Zigbee® 频率:2.4GHz ~ 2.5GHz 功率-输出:10dBm 灵敏度:-96dBm 串行接口:I²C,SPI,UART 天线类型:不包括,U.FL 存储容量:512kB 闪存,4kB EEPROM,32kB RAM 电压-电源:2 V ~ 3.6 V 电流-接收:21.5mA 电流-传输:153mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:27-SMD 模块 功率 - 输出:10dBm 电压 - 电源:2 V ~ 3.6 V 电流 - 接收:21.5mA 电流 - 传输:153mA |
| 未分类 | FRDM-MC-LVBLDC | NXP Semiconductors(恩智浦) | 主要用途:电源管理,电机控制 使用的IC/零件:FAN7888 主要属性:无刷直流(BLDC) 电机 所含物品:板 FET类型:电源管理 功能:Motor Controller/Driver 使用的 IC/零件:FAN7888 主要属性:Motors(BLDC) |
| 未分类 | KTY82/110,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:KTY82 25°C时欧姆阻值:1k 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-236AB 25°C 时阻值:1 kOhms 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) |
| 未分类 | KTY82/210,215 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:KTY82 25°C时欧姆阻值:2k 工作温度:-55°C ~ 150°C 封装/外壳:TO-236AB 25°C 时阻值:2 kOhms 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:TO-236AB(SOT23) |
| 未分类 | LPC1850FET256,551 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC18xx 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:180MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,IrDA,Microwire,QEI,SD,PI,SI,SP,ART/USART,USB,SB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,LCD,POR,PWM,WDT I/O数:164 程序存储器类型:ROMless RAM容量:200K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2.2 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b;D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:256-LBGA(17x17) I/O 数:164 RAM 容量:200K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.2 V ~ 3.6 V 封装/外壳:256-LBGA 封装/外壳:256-LBGA(17x17) |
| 未分类 | LPC1114FBD48/301:1 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O 数:42 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM 容量:8K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC11E12FBD48/201, | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Exx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,SPI,SSI,SSP,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:40 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:1K x 8 RAM容量:6K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:40 EEPROM 容量:1K x 8 RAM 容量:6K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC11U24FHI33/301,551 | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | LPC11U35FHI33/501, | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Uxx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:26 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:12K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-HVQFN(5x5) I/O 数:26 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:12K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:32-HVQFN(5x5) |
| 温度传感器 | LM75BD,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 传感器类型:数字,本地 输出类型:I²C 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 测试条件:-25°C ~ 100°C(-55°C ~ 125°C) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | LM75ADP,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 传感器类型:数字,本地 输出类型:I²C 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 分辨率:10 b 偏差:±2°C(±3°C) 测试条件:-25°C ~ 100°C(-55°C ~ 125°C) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:8-TSSOP 检测温度 - 本地:-55°C ~ 125°C 电压 - 电源:2.8 V ~ 5.5 V 精度 - 最高（最低）:±2°C(±3°C) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 封装/外壳:8-TSSOP |
| 未分类 | LPC11U37FBD48/401, | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Uxx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:40 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:10K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:40 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:10K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC11U24FBD48/401, | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Uxx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,SPI,SSI,SSP,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:40 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:10K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:40 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:10K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC1115FBD48/303,1 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC1100XL 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:42 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:42 RAM 容量:8K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC1112FHI33/202,5 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC1100L 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:28 程序存储容量:16KB(16K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:4K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-HVQFN(5x5) I/O 数:28 RAM 容量:4K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:32-HVQFN(5x5) |
| 未分类 | LPC11U35FBD48/401, | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Uxx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:40 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:10K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:40 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:10K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC1115FBD48/303,1 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC1100XL 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:42 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:42 RAM 容量:8K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC1114FBD48/302,1 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC1100L 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:42 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:42 RAM 容量:8K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC11U34FHN33/421, | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Uxx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:26 程序存储容量:48KB(48K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:10K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-HVQFN(7x7) I/O 数:26 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:10K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-VQFN 裸露焊盘 封装/外壳:32-HVQFN(7x7) |
| 未分类 | LPC1113FHN33/302,551 | NXP Semiconductors(恩智浦) | |
| 未分类 | LPC1114FBD48/302,1 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC1100L 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,SPI,UART/USART 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:42 程序存储容量:32KB(32K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:8K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:42 RAM 容量:8K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 温度传感器 | LM75BD,118 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 传感器类型:数字,本地 输出类型:I²C 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 测试条件:-25°C ~ 100°C(-55°C ~ 125°C) 工作温度:-55°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SO |
| 未分类 | LPC11U35FHI33/501, | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Uxx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,智能卡,SPI,SSP,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,POR,WDT I/O数:26 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:12K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-HVQFN(5x5) I/O 数:26 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:12K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:32-HVQFN(5x5) |
| 未分类 | LPC11E67JBD48E | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Exx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,SPI,SSI,SSP,UART/USART 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT I/O数:36 程序存储容量:128KB(128K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:20K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:48-LQFP I/O 数:36 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:20K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 3.6 V 封装/外壳:48-LQFP(7x7) |
| 未分类 | LPC1752FBD80,551 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC17xx 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:100MHz 连接性:CAN,I²C,IrDA,Microwire,SPI,SSI,SSP,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,电机控制 PWM,POR,PWM,WDT I/O数:52 程序存储容量:64KB(64K x 8) 程序存储器类型:闪存 RAM容量:16K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 6x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:80-LQFP(12x12) I/O 数:52 RAM 容量:16K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 3.6 V 封装/外壳:80-LQFP 封装/外壳:80-LQFP(12x12) |
| 未分类 | LPC11U68JBD64E | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC11Uxx 核心处理器:ARM® Cortex®-M0+ 核心尺寸:32-位 速度:50MHz 连接性:I²C,Microwire,SPI,SSI,SSP,UART/USART,USB 外设:欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT I/O数:48 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:36K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 10x12b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:64-LQFP I/O 数:48 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:36K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 3.6 V 封装/外壳:64-LQFP(10x10) |
| 未分类 | LPC1785FBD208,551 | NXP Semiconductors(恩智浦) | 系列:LPC17xx 核心处理器:ARM® Cortex®-M3 核心尺寸:32-位 速度:120MHz 连接性:CAN,EBI/EMI,I²C,Microwire,存储卡,SPI,SSI,SSP,ART/USART,USB OTG 外设:欠压检测/复位,DMA,I²S,电机控制 PWM,POR,PWM,WDT I/O数:165 程序存储容量:256KB(256K x 8) 程序存储器类型:闪存 EEPROM容量:4K x 8 RAM容量:80K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 8x12b,D/A 1x10b 振荡器类型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:208-LQFP(28x28) I/O 数:165 EEPROM 容量:4K x 8 RAM 容量:80K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:2.4 V ~ 3.6 V 封装/外壳:208-LQFP 封装/外壳:208-LQFP(28x28) |