参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	PHKD6N02LT,518
说明	通用MOSFET   8-SO SO
品牌	Nexperia(安世)
起订量	0
最小包	0
现货	975 [库存更新时间：2024-05-31]
系列	TrenchMOS™
FET类型	2N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs	20m Ohms@3A,5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15.3nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	950pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	4.17W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SO
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	10.9A