参数	值
产品	未分类
型号编码	NVD5490NLT4G
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.38mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	908 [库存更新时间：2025-04-06]
14 nC	Qg - 闸极充电
49 W	Pd - 功率消耗
互导 - 最小值	15 S
FET类型	N-Channel
最低工作温度	- 55 C
最高工作温度	+ 175 C
标准包装数量	2500
连续漏极电流Id	17 A
标准断开延迟时间	24 ns
系列	NVD5490NL
配置	Single
Rds On(Max)@Id,Vgs	66 m0hms
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	20V
栅极电压Vgs	2.5 V
上升时间	57 ns
下降时间	35 ns
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	17 A
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	85 m0hms
栅极电压Vgs	2.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	49 W
典型接通延迟时间	9.4 ns
典型关断延迟时间	24 ns
漏源极电压Vds	365 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
宽度	6.22mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	6.73mm
高度	2.38mm
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.38mm
每片芯片元件数目	1 Ohms