参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	NTR4171PT1G
说明	小信号MOSFET   2.9mm SOT-23
起订量	3
最小包	3
现货	429 [库存更新时间：2025-04-13]
系列	NTR4171P
高度	0.94 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
配置	Single
下降时间	22 ns
典型接通延迟时间	9 ns
上升时间	16 ns
通道数量	1 Channel
典型关闭延迟时间	32 ns
正向跨导-最小值	7 S
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15.6nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	720pF @ 15V
栅极电压Vgs	±12V
Pd-功率耗散(Max)	480mW(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	720pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs	75mΩ@2.2A,10V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	2.2A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA