参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | NTMD5838NLR2G |
说明 | 通用MOSFET 8-SOIC SOIC |
品牌 | ON(安森美) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 907 [库存更新时间:2025-04-04] |
FET类型 | 2N-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 25mΩ@7A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 785pF @ 20V |
Pd-功率耗散(Max) | 2.1W |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SOIC |
封装/外壳 | SOIC |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 40V |
连续漏极电流Id | 7.4A |